在2018國(guó)際顯示技術(shù)會(huì)議（ICDT 2018）上，臺(tái)灣地區(qū)廠商錼創(chuàng) (Playnitride)展出Micro LED顯示器，共分白光、綠色以及全彩3種色彩顯示。
其中0.89’’顯示器應(yīng)用于手表上，ppi約為169，并使用藍(lán)色LED芯片+Phosphor色彩化方案。另外還有0.8’’顯示器， ppi提高至230，搭配綠色LED芯片的單色方案。最后還展出全彩0.89’’顯示器，使用RGB LED的芯片組合，約103 ppi。錼創(chuàng)期望未來(lái)持續(xù)提升技術(shù)，以朝向Micro LED顯示器商業(yè)化的路邁進(jìn)。
另對(duì)于背板驅(qū)動(dòng)專精的廠商和蓮光電(Jasper Display)，展出以Silicon為背板的Micro LED顯示器，目前顯示技術(shù)已發(fā)展至0.7’’，顯示尺寸可達(dá)4K分辨率，雖為單色顯示但Pixel Size卻能達(dá)到3.74μm，具備高顯示效果。
和蓮光電
另對(duì)于背板驅(qū)動(dòng)專精的廠商和蓮光電(Jasper Display)，展出以Silicon為背板的Micro LED顯示器，目前顯示技術(shù)已發(fā)展至0.7’’，顯示尺寸可達(dá)4K分辨率，雖為單色顯示但Pixel Size卻能達(dá)到3.74μm，具備高顯示效果。
Leti公司
Leti公司的Francois Templier提到，Micro LED應(yīng)用在AR VR等穿戴使用的顯示器上，需滿足高分辨率與顯示面積小的高需求，因此LED芯片尺寸以及LED Pitch上將微縮。傳統(tǒng)Flip Chip Bumping極限約在15μm，若是在Wafer上，分別在GaN Array上制作Micro Tube，在與基板bonding時(shí)，Micro Tube將直接插入接觸所對(duì)應(yīng)的連接Pad，無(wú)需如錫球Bonding時(shí)，LED間距需預(yù)留距離避免金屬溢流短路，因此Micro Tube的應(yīng)用將縮短LED bonding pitch。目前Leti已將此技術(shù)應(yīng)用在單色顯示器上，Pixel Pitch約10μm，分辨率873 x 500 Pixels。
三安光電
三安光電徐宸科副總指出Micro LED相較于其他顯示方式如LCD、LCOS、DLP、OLED，都有較高的評(píng)價(jià)，其中對(duì)比應(yīng)用較廣的OLED顯示應(yīng)用，Micro LED在亮度及信賴性上都更勝一籌外，又可以搭配軟性基板達(dá)成可彎曲的特性，因此三安光電看好Micro LED發(fā)展后勢(shì)且積極發(fā)展。
目前三安光電已可組成RGB全彩Micro LED顯示器，其中RGB芯片的外部量子效率(EQE)預(yù)估依序?yàn)?8%、30%、60%，未來(lái)仍持續(xù)提升。另徐宸科副總提到三安光電也可依客戶的需求提供芯片轉(zhuǎn)移、Bonding等方案，并搭配水平或垂直式電極LED芯片等技術(shù)服務(wù)。其中水平式電極的Flip Chip的芯片尺寸約可達(dá)30~100μm，垂直式電極芯片約可達(dá)10~100μm。
劉紀(jì)美教授指出Micro LED未來(lái)隨著LED芯片越來(lái)越小，除了轉(zhuǎn)移上的技術(shù)外，在LED的芯片制造質(zhì)量上也需要穩(wěn)定與成熟，才能提高產(chǎn)能，降低生產(chǎn)成本。在電路設(shè)計(jì)上，將以穩(wěn)定的集成電路設(shè)計(jì)為主，方能尋找到適合Micro LED驅(qū)動(dòng)的方案。
目前劉紀(jì)美教授研發(fā)的Micro Display小可達(dá)0.19’’，1700 ppi，為單色顯示方案。LED微型化量子點(diǎn)的應(yīng)用將不會(huì)缺席，因此劉教授的團(tuán)隊(duì)也運(yùn)用了量子點(diǎn)的技術(shù)達(dá)成全彩化，目前是采用噴墨印刷的方式將RGB 量子點(diǎn)均勻涂布于Micro Display上，顯示器約3.6mm(L) x 3.6mm(W)，分辨率約40 x 40 pixels。
上海大學(xué)的楊緒勇教授指出，QD應(yīng)用在LED上的發(fā)展目前受限于價(jià)格以及壽命。而QD的材料價(jià)格不便宜，因此相關(guān)的應(yīng)用易轉(zhuǎn)嫁到消費(fèi)者身上，從而降低市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。此外，壽命約在100~1000小時(shí)不等，因此楊緒勇教授嘗試在QD加入了金屬氧化物薄膜，以增加QD的穩(wěn)定性進(jìn)而增加其壽命。改善后測(cè)試，壽命可達(dá)16000小時(shí)(@100 nits)，將有助于未來(lái)QD應(yīng)用在LED上更邁進(jìn)一步。